特許
J-GLOBAL ID:201503090902391632

導電体および導電体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  言上 惠一 ,  山尾 憲人
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-501695
公開番号(公開出願番号):特表2015-518235
出願日: 2013年03月06日
公開日(公表日): 2015年06月25日
要約:
導電体(100)は、銅、銅合金、ニッケルおよびニッケル合金の少なくとも1つから成るベース基板(102)と、ベース基板に適用される層状構造体(104)とを含む。層状構造体(104)は、箔(110)と、箔上に堆積したグラフェン層(112)とを含む。層状構造体(104)は、グラフェン層が箔上に堆積した後に、ベース基板(102)に適用されている。
請求項(抜粋):
銅、銅合金、ニッケルおよびニッケル合金の少なくとも1つから成るベース基板(102)と、 前記ベース基板に適用され、箔(110)と、前記箔上に堆積したグラフェン層(112)とを含み、前記グラフェン層が前記箔上に堆積した後に、前記ベース基板に適用されている層状構造体(104)と、を含む導電体(100)。
IPC (3件):
H01B 5/02 ,  C01B 31/02 ,  B32B 15/04
FI (3件):
H01B5/02 A ,  C01B31/02 101Z ,  B32B15/04 Z
Fターム (34件):
4F100AB16A ,  4F100AB17A ,  4F100AB31A ,  4F100AB33B ,  4F100AD11C ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EC16B ,  4F100EJ42B ,  4F100GB41 ,  4F100JG01 ,  4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC19A ,  4G146AC19B ,  4G146AD22 ,  4G146BA12 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146CB31 ,  4G146DA28 ,  5G301BA02 ,  5G307BA02 ,  5G307BB03 ,  5G307BB04 ,  5G307BB05 ,  5G307BB09 ,  5G307BC01 ,  5G307BC02 ,  5G307BC03 ,  5G307BC09 ,  5G307BC10
引用特許:
審査官引用 (3件)
引用文献:
審査官引用 (2件)

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