特許
J-GLOBAL ID:201503090902391632
導電体および導電体の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
鮫島 睦
, 田村 恭生
, 言上 惠一
, 山尾 憲人
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-501695
公開番号(公開出願番号):特表2015-518235
出願日: 2013年03月06日
公開日(公表日): 2015年06月25日
要約:
導電体(100)は、銅、銅合金、ニッケルおよびニッケル合金の少なくとも1つから成るベース基板(102)と、ベース基板に適用される層状構造体(104)とを含む。層状構造体(104)は、箔(110)と、箔上に堆積したグラフェン層(112)とを含む。層状構造体(104)は、グラフェン層が箔上に堆積した後に、ベース基板(102)に適用されている。
請求項(抜粋):
銅、銅合金、ニッケルおよびニッケル合金の少なくとも1つから成るベース基板(102)と、
前記ベース基板に適用され、箔(110)と、前記箔上に堆積したグラフェン層(112)とを含み、前記グラフェン層が前記箔上に堆積した後に、前記ベース基板に適用されている層状構造体(104)と、を含む導電体(100)。
IPC (3件):
H01B 5/02
, C01B 31/02
, B32B 15/04
FI (3件):
H01B5/02 A
, C01B31/02 101Z
, B32B15/04 Z
Fターム (34件):
4F100AB16A
, 4F100AB17A
, 4F100AB31A
, 4F100AB33B
, 4F100AD11C
, 4F100BA03
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100EC16B
, 4F100EJ42B
, 4F100GB41
, 4F100JG01
, 4G146AA01
, 4G146AB07
, 4G146AC19A
, 4G146AC19B
, 4G146AD22
, 4G146BA12
, 4G146BC09
, 4G146BC16
, 4G146CB31
, 4G146DA28
, 5G301BA02
, 5G307BA02
, 5G307BB03
, 5G307BB04
, 5G307BB05
, 5G307BB09
, 5G307BC01
, 5G307BC02
, 5G307BC03
, 5G307BC09
, 5G307BC10
引用特許:
引用文献:
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