特許
J-GLOBAL ID：200903066579532250
電界放出型電極の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-026076
公開番号（公開出願番号）：特開2008-192466
出願日： 2007年02月05日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】電子放出特性に優れた電界放出型電極の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも金属又は半金属のいずれかを含む基板11上に、粒子からなるバリア層12を形成する。次にバリア層12上に例えばCVD装置によって炭素から形成された電子放出膜13を形成する。バリア層12を形成することによって反応性の高い炭素が基板11に拡散することを防ぐことができる。従って、良好な電子放出特性を有する電子放出膜13を形成することができ、電子放出特性に優れた電界放出型電極の製造方法を提供することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも金属又は半金属のいずれかを含む基板上に、バリア層を形成するバリア層形成工程と、
前記バリア層上に、炭素から形成された電子放出膜を形成する電子放出膜形成工程と、を備えることを特徴とする電界放出型電極の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5C127AA01
, 5C127BA14
, 5C127BA15
, 5C127BB05
, 5C127BB06
, 5C127BB08
, 5C127BB13
, 5C127BB16
, 5C127BB18
, 5C127CC03
, 5C127DD08
, 5C127DD14
, 5C127DD32
, 5C127DD62
, 5C127EE02
出願人引用 (17件)
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審査官引用 (17件)
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