特許
J-GLOBAL ID：201503093972242110
パワーモジュール用基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 正和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-169938
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232691
特許番号：特許第5708733号
出願日： 2013年08月19日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 パワーモジュール用基板の製造方法であって、
セラミックス基板上に、外形がこのセラミックス基板よりも大きく該セラミックス基板から面方向に突出する突出部を有する金属板を前記セラミックス基板と同形状のろう材を介して重ねる積層工程と、
前記セラミックス基板と前記金属板とを加熱状態で厚さ方向に圧縮してこれらを前記ろう材によって接合する加熱圧縮工程と、
前記突出部を除去する除去工程と、
を有することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/13 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
H01L 23/12 C
, H01L 23/12 D
