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J-GLOBAL ID：201602014159979529   整理番号：73A0031043

RFスパッタリング装置中のパワー消費と基板温度

著者 (2件)： 細川直吉 (日電バリアン) ,  中司まさ志 (日電バリアン)
資料名： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 16  号： 9  ページ： 327-335  発行年： 1973年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高周波二極スパッタリング中のターゲット,基板ホルダー,真空容器壁へ流入する熱エネルギーを冷却水の温度上昇から調べ,また理論的にも解析した。その結果主にターゲット表面からの熱放射によって基板温度が上昇することがわかり,金属ターゲット,石英ターゲットの冷却効率を良くすることで,基板ホルダーへの入射パワーを減らすことができた;写図12表4参15

シソーラス用語： スパッタリング

引用文献 (16件)：

• 1) P. D. Daividse and L. I. Maissel : (a) J. appl. Phys. 37 (1966) 574. (b) Proc. 3rd Internl. Vac. Congr., Stuttgart (1965).
• 2) I. Brodie, L. T. Lamont and D. O. Myers (織田訳) : 真空12 (1969) 259.
• 3) T. Nishimura, Y. Murayama, K. Toda and H. Matsumura : 2nd Symposium on the deposition of thin films by sputtering, Rochester (University of Rochester and CVC, 1969) p. 106.
• 4) S. Lau, R. Mills and D. Muth : J. Vac. Sci. Tech. 9 (1972) 1196.
• 5) L. T. Lamont and A. Lang : J. Vac. Sci. Tech. 7 (1970) 198.

タイトルに関連する用語 (4件)： RFスパッタリング ,  パワー ,  消費 ,  基板温度