不純物注入型ULSI電池中の転位蓄積のシミュレーションと電気特性評価

SATO Michihiro; TAKAHASHI Yosuke

文献

J-GLOBAL ID：201602202084050325 整理番号：16A0264242

不純物注入型ULSI電池中の転位蓄積のシミュレーションと電気特性評価

Simulation of Dislocation Accumulation in Impurity Doped-ULSI Cells and Electric Characteristic Evaluations

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著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 10 号： 2 ページ： 195-200 発行年： 2016年03月05日
JST資料番号： L0997B ISSN： 1881-7629 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

半導体装置の性能は,これらの装置の構造への増大する純度向上の結果として改善されている。これは原子レベルで種々の問題をおこしている。特に,半導体装置の中の結晶学上の欠陥の一種である転位の存在が主な問題を起こしている。装置中に蓄積した転位が電子の動きを妨げ,装置の電気特性に悪影響を与えている。しかしながら,これまでの研究は,蓄積転位と半導体の電気特性との間の関係を十分に明らかにしていない。本研究では,我々は,不純物注入型超大規模集積回路(ULSI)装置の製造中に生成した転位に焦点を当て,そして,結晶塑性解析に基づいて,冷却過程における装置内の転位の蓄積のシミュレーションを行った。我々は解析システムを構築した。これによって,転位の蓄積を考慮することによって電気特性を評価するために,転位に関して得られた情報を装置シミュレータに与えた。我々は,転位密度と密度分布が,装置の特長的電流-電圧曲線に与える影響を調べた。(翻訳著者抄録)

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半導体集積回路

引用文献 (12件)：

T. Ohashi, M. Sato, T. Maruizumi, and I. Kitagawa, “Simulation of dislocation accumulation in ULSI cells with STI structure,” Applied Surface Science, Vol.216, pp. 340-346, 2003.
M. Sato, T. Ohashi, T. Maruizumi, and I. Kitagawa, “Crystal plasticity analysis of thermal deformation and dislocation accumulation in ULSI cells,” Key Engineering Materials, Vol.324-325, pp. 1035-1038, 2006.
M. Sato, T. Ohashi, T. Maruizumi and I. Kitagawa, “Crystal plasticity analysis of dislocation accumulation in ULSI cells with consideration of temperature dependence of the lattice friction stress for silicon,” Key Engineering Materials, Vol.340-341, pp. 199-204, 2007.
M. Sato, T. Ohashi, T. Maruizumi, and I. Kitagawa, “Crystal plasticity analysis of dislocation accumulation in impurity doped-ULSI cells,” Trans. of the Japan Society of Mechanical Engineers, Series A, Vol.75, No.756, pp. 121-126, 2009 (in Japanese).
M. Sato, T. Ohashi, T. Maruizumi, and I. Kitagawa, “Simulation of dislocation accumulation in ULSI cells of reduced gate length,” Materials Science Forum, Vol.654-656, pp. 1682-1685, 2010.

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