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J-GLOBAL ID：201602203062242049   整理番号：16A0289173

電子照射-電子励起によるパラジウム/酸化ケイ素(Pd/SiO_x)界面でのアモルファス相形成

An amorphous phase formation at a palladium/silicon oxide (Pd/SiO_x) interface by electron irradiation - electronic excitation

著者 (4件)： NAGASE Takeshi (Osaka Univ., JPN) ,  YAMASHITA Ryo (Osaka Univ., JPN) ,  YABUUCHI Atsushi (Osaka Univ., JPN) ,  LEE Jung-Goo (Korea Inst. of Materials Sci., KOR)
資料名： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
巻： 158th  ページ： ROMBUNNO.63  発行年： 2016年03月09日 
JST資料番号： S0988B  ISSN： 2433-3093  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： パラジウム ,  酸化ケイ素 ,  界面 ,  *電子照射 ,  *アモルファス化 ,  *非晶質 ,  電子銃 ,  放射線量 ,  電圧依存性
準シソーラス用語： *アモルファス相 ,  加速電圧 ,  総線量

分類 (1件)： 放射線による構造と物性の変化一般  (BK16121W)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子照射 ,  電子励起 ,  パラジウム ,  酸化ケイ素 ,  Pd ,  界面 ,  アモルファス ,  相形成