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J-GLOBAL ID：201602204414350528   整理番号：16A0041862

ゲート電圧印加時におけるへき開MIS-Si(111)表面の断面STM/STS測定

著者 (10件)： 石原佑理 (奈良先端科学技術大学院大) ,  加藤直也 (奈良先端科学技術大学院大) ,  立花和也 (奈良先端科学技術大学院大) ,  広田望 (奈良先端科学技術大学院大) ,  服部賢 (奈良先端科学技術大学院大) ,  大門寛 (奈良先端科学技術大学院大) ,  WEI Tingting (大阪大 産科研) ,  藤原宏平 (大阪大 産科研) ,  服部梓 (大阪大 産科研) ,  田中秀和 (大阪大 産科研)
資料名： 表面科学学術講演会講演要旨集  (表面科学学術講演会要旨集)
巻： 35th  ページ： 130  発行年： 2015年12月01日 
JST資料番号： L1366A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MIS構造 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  *スペクトロスコピー ,  劈開【結晶】 ,  電圧 ,  *電子構造 ,  ポリキシリレン ,  バンド構造 ,  半導体薄膜 ,  界面 ,  ケイ素
準シソーラス用語： Parylene ,  STM【顕微鏡】 ,  ゲート電圧 ,  バンド曲がり ,  *走査トンネル分光法

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート ,  電圧印加 ,  へき開 ,  MIS ,  Si ,  STM ,  STS