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J-GLOBAL ID：201602214305420686   整理番号：16A0045061

スイッチングアシストによる次世代MOSFET電力変換器の高効率化

著者 (1件)： 野口季彦 (静岡大)
資料名： 電磁環境工学情報EMC  (月刊EMC)
巻： 28  号： 9  ページ： 83-97  発行年： 2016年01月05日 
JST資料番号： L0077A  ISSN： 0916-2275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿ではゲートドライブ電源により給電されるスイッチングアシスト回路を用いたMOSFETの高速スイッチングとスイッチング損失を低減する手法について述べる。このスイッチングアシスト回路によってMOSFETに内包されている寄生出力容量の高速充放電が可能となる。例えば,スイッチングアシスト回路を昇圧チョッパに適用することにより,MOSFETのボディダイオードにおけるリカバリー損失が1/5にまで低減することもできる。また,ハーフブリッジPWMインバータに応用した場合では,MOSFETのスイッチング損失を抑制できるので軽負荷領域において総合効率を14.8%も改善できる。このスイッチングアシスト回路は空調機器,自動車などの応用に対して非常に効果的である。これらの応用ではエネルギー消費量を削減するため,特に軽負荷領域において電力変換効率を向上させる必要があるからである。(著者抄録)

シソーラス用語： *効率化 ,  *炭化ケイ素 ,  半導体素子 ,  *MOSFET ,  *インバータ ,  ターンオン ,  高速度 ,  *ゲート【半導体】 ,  *駆動回路 ,  漂遊容量 ,  スイッチング損失 ,  充電 ,  放電 ,  チョッパ回路 ,  ブリッジ回路 ,  負荷 ,  エネルギー消費 ,  短絡電流
準シソーラス用語： 高効率 ,  PWMインバータ ,  昇圧チョッパ回路 ,  ハーフブリッジ回路 ,  軽負荷

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (8件)：

• 高橋 勲: 「SiC素子を用いた近未来電力変換器とその応用」 平成13年電気学会産業応用部門大会, vol.1, pp.279-284 (2001)
• 石垣将紀・藤田英明: 「低損失・高周波動作可能なMOSFET用共振形ゲートドライブ回路」 電気学会論文誌 D, vol.127, no.10, pp.1090-1096 (2007)
• 野口季彦・矢島哲志・小松宏禎: 「次世代超高速スイッチング素子ゲート駆動回路の開発」 電気学会論文誌 D, vol.129, no.1, pp.46-52 (2009)
• 野口季彦・水野知博・村田宗洋: 「スイッチングアシスト回路を用いたMOSFETの高速スイッチング法」 電気学会論文誌 D, vol.133, no.12, pp.1186-1192 (2013)
• 餅川 宏・小山建夫: 「小型・低損失インバータを実現する新回路技術」 東芝レビュー 2006, vol.61, no.11, pp.32-35 (2006)

タイトルに関連する用語 (6件)： スイッチング ,  アシスト ,  次世代 ,  MOSFET ,  電力変換器 ,  高効率化