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J-GLOBAL ID：201602214711065889   整理番号：16A0233108

カーボンナノチューブを用いた耐環境型メモリスタ素子の創製

著者 (1件)： 佐藤英樹 (三重大 大学院工学研究科)
資料名： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
号： 29-2  ページ： 193-200  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： L5491A  ISSN： 0919-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,カーボンナノチューブ(CNT)薄膜電極を用いることにより,従来の固体電子デバイスよりも耐環境性に優れたメモリスタ素子,抵抗変化メモリを製作することを着想し,その基礎的検討を行った。CNT薄膜電極を電界放出電極とし,その電流電圧特性を調べたところ,抵抗変化動作を示すI-Vループ特性が現れることが確認された。また,大気圧下に設置したCNT薄膜形成電極間に電圧を印加する方法でもI-Vループ特性が,大気圧下での抵抗変化動作を実現できる可能性が示された。

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  気圧 ,  *回路部品 ,  *炭素電極 ,  膜電極 ,  RAM【メモリ】 ,  *電流電圧特性 ,  耐性 ,  *電界放出
準シソーラス用語： 大気圧 ,  *メモリスタ ,  抵抗変化メモリ ,  耐環境性

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (5件)：

• L. O.Chua, IEEE Trans. Circuit Theory 18, 507-519 (1971) .
• D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, R.S. Williams, Nature 453, 80-83 (2008) .
• H. Sato, Y. Hori, K. Hata, K. Seko, H. Nakahara, Y. Saito, J. Appl. Phys. 100, 104321 (2006) .
• Y. Saito Eds.: Carbon Nanotube and Related Field Emitters, (WILEY-VCH, 2010) , p.43.
• H. Liu and Y. Saito, J. Nanosci. Nanotechnol., 10, 1 (2010) .

タイトルに関連する用語 (4件)： カーボンナノチューブ ,  環境 ,  メモリスタ ,  創製