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J-GLOBAL ID：201602217140018402   整理番号：16A0050760

陽電子を用いた物質・材料研究の最前線と展望 陽電子マイクロプローブとその応用

著者 (3件)： 大島永康 (産業技術総合研 計量標準総合セ) ,  鈴木良一 (産業技術総合研 計量標準総合セ) ,  上殿明良 (筑波大 数理物質系)
資料名： 放射線と産業  (Radiation & Industries)
号： 139  ページ： 9-12  発行年： 2015年12月01日 
JST資料番号： G0314A  ISSN： 0286-8873  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 材料開発や劣化機構の研究において,微小空隙の評価は重要であり,陽電子は,様々な材料の原子サイズの空隙評価に有効利用されている。陽電子寿命法(PALS)は,空隙のサイズと濃度の評価に,ドップラー拡がり法(DBAR)は空隙の濃度と空隙周囲の化学種の評価に効果的であり,PALSとDBARは一括りにして陽電子消滅法(PAS)とも,呼ばれる。本稿では,産総研の陽電子マイクロビームによるPALS分析を,電子デバイス材料に応用した2例を紹介する;(1)GaNに塑性変形で導入される欠陥の評価:ハイドランド気相成長法で作成した低転位密度のGaNを2片準備し,PASとフォトルミネッセンス(PL)法を用いて,評価した。変形の中心付近では,転位や単空孔に起因する寿命(約220ps)とマイクロボイドに起因する寿命(約460ps)が確認され,GaNは応力印加による塑性変形により,転位だけでなく空孔型欠陥が導入されることが確認できた。(2)Siウェハにダイジングで導入される欠陥の評価:化学機械研磨処理前のダイジングで薄化したSiウェハの欠陥をPASで評価した。ダイジングでSiウェハに転位や空孔型欠陥が深さ約100nm導入されること,また焼鈍しのこれらの欠陥への影響についての知見が得られた。」

シソーラス用語： *Doppler効果 ,  *陽電子ビーム ,  *多孔性 ,  スペクトロスコピー ,  *陽電子消滅 ,  *窒化ガリウム ,  空洞 ,  ウエハ【IC】 ,  *空孔欠陥 ,  塑性変形 ,  気相成長 ,  転位密度
準シソーラス用語： *ドップラー拡散 ,  *陽電子マイクロビーム ,  空隙構造 ,  *空隙性 ,  *陽電子寿命 ,  *陽電子消滅法 ,  マイクロボイド ,  シリコンウエハ

分類 (1件)： 陽電子消滅  (BK16052L)

引用文献 (7件)：

• R.Krause-Rehberg,and H.S.Leipner,Positron Annihilation in Semiconductors:Defect Studies, (Springer, 1999).
• 大島永康、鈴木良一、藤浪真紀、「陽電子マイクロプローブ」陽電子科学 第1号、(陽電子科学会、2013)pp.27-39.
• 大島永康、伊藤賢志、「陽電子寿命法による逆浸透膜(RO膜)のサブナノ空隙評価」、造水技術ハンドブック<追補版>、(造水促進センター、2014)pp.100-103.
• N.Oshima,R.Suzuki,T.Ohdaira,A.Kinomura,T.Narumi, A.Uedono,M.Fujinami, "Rapid three-dimensional imaging of defect distributions using a high-intensity positron microbeam",Appl.Phys.Lett. 94,194104 (2009).
• N.Oshima,Y.Kamada,H.Wtanabe,A.Kinomura,R.Suzuki, "Development of combinatorial defect analysis with an intense positron microprobe",JJAP Conf.Proc. 2 , 011306 (2014).

タイトルに関連する用語 (6件)： 陽電子 ,  物質 ,  研究 ,  展望 ,  マイクロプローブ ,  応用