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J-GLOBAL ID：201602219536011829   整理番号：16A0044304

低温中性粒子ビームプロセスによるMRAM材料の新しい金属錯体反応性エッチング

A New Metallic Complex Reaction Etching for MRAM Materials by A Low-Temperature Neutral Beam Process

著者 (2件)： KUBOTA Tomohiro (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
資料名： Proceedings. International Conference on Flow Dynamics (CD-ROM)  (Proceedings. International Conference on Flow Dynamics (CD-ROM))
巻： 12th  ページ： 210-211  発行年： 2015年 
JST資料番号： L8189B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *RIE【エッチング】 ,  *中性粒子ビーム ,  *MRAM ,  磁気抵抗 ,  低温 ,  磁性材料 ,  密度汎関数法 ,  *ビーム

分類 (3件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  原子ビーム,分子ビーム  (BH01020Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温 ,  中性粒子ビーム ,  プロセス ,  MRAM ,  金属錯体 ,  反応性 ,  エッチング