抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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世界的に地球環境問題への関心が高まる中,パワーデバイスの用途は,太陽光・風力等の新エネルギー発電用や,ハイブリッド・電気自動車等のエコカーなど,多岐にわたり,その市場も拡大している。同時に,低損失化,低ノイズ化,高耐量化,高信頼性化など,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)やダイオードに求められる要求性能も厳しくなっている。三菱電機では,IGBTとダイオードの定常損失とスイッチング損失を低減するために,平面型IGBT,トレンチ型IGBT,電荷蓄積型IGBT“CSTBT”へと,また,拡散ダイオードを薄ウェーハダイオードへと進化させてきた。今回,更なる性能改善を盛り込んだ第7世代パワーチップを開発した。耐圧1,200V級第7世代IGBTは,MOS(Metal Oxide Semiconductor)構造の最適化によって,破壊耐量改善及びターンオン時のリカバリーdv/dt制御性を改善し,極薄ウェーハ化プロセス技術を用いたLPT(Light Punch-Through)構造による低損失化も実現した。耐圧650V級第7世代ダイオードは,極薄ウェーハ化とともにRFC(Relaxed Field of Cathode)ダイオード構造を適用し,従来型ダイオードと同等の破壊耐量のまま損失低減を実現した。これら第7世代パワーチップを各耐圧級の様々な製品向けに順次展開していく。(著者抄録)
