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J-GLOBAL ID：201402296980646295   整理番号：14A0584188

高性能・高破壊耐量第7世代パワーチップ技術

著者 (3件)： 鈴木健司 (三菱電機) ,  増岡史仁 (三菱電機) ,  久我正一 (三菱電機)
資料名： 三菱電機技報
巻： 88  号： 5  ページ： 281-284  発行年： 2014年05月20日 
JST資料番号： F0198A  ISSN： 0369-2302  CODEN： MTDNAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 現在のSiパワーデバイスの中核を担っているパワーチップは,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)とダイオードである。地球環境問題への関心が高まる中で,太陽光・風力等の新エネルギー発電用途や,ハイブリッド・電気自動車等のエコカー向けに,市場が拡大している。三菱電機は,製品の省エネルギー性能向上につながる定常損失及びスイッチング損失の低減を実現するため,平面型IGBT,トレンチ型IGBT,電荷蓄積型IGBT(CSTBT(Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor)),セル構造微細化第6世代IGBT,及び薄ウェーハダイオード等の各種のパワーチップを開発してきた。今回,更に高性能で高破壊耐量の第7世代パワーチップを開発した。耐圧600V級第7世代IGBTは,当社として初めて極薄ウェーハ化プロセス技術を適用し,第6世代IGBTに比べ,性能指数FOM(Figure Of Merit)で1.8倍の高い性能を実現した。また,MOS(Metal Oxide Semiconductor)構造を最適化することで破壊耐量を改善した。第7世代ダイオードには,新しい裏面拡散層形成技術を開発し,RFC(Relaxed Field of Cathode)効果が得られる裏面構造を適用した。これによって,snap-off(電圧跳ね上がり)とそれに誘発される発振が抑制できる高リカバリーSOA(Safe Operating Area)性能を可能にし,前世代品よりも薄ウェーハ化することでFOM値2.7倍となる高性能ダイオードを実現した。これら第7世代パワーチップを各耐圧級の製品に順次展開する。(著者抄録)

シソーラス用語： *破壊 ,  *許容量 ,  *半導体素子 ,  IGBT ,  ダイオード ,  省エネルギー ,  スイッチング損失 ,  性能指数 ,  MOS構造 ,  最適化 ,  裏面 ,  拡散層
準シソーラス用語： *パワーチップ ,  *パワーデバイス ,  *高性能

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (5件)：

• Takahashi, H., et al.: Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor (CSTBT) -A Novel Power Device for High Voltage Application, ISPSD1996, 349-352 (1996)
• Sato, K., et al.: New chip design technology for next generation power module, Proceedings of PCIM 2008, 673~678 (2008)
• Haraguchi, Y., et al.:600V LPT-CSTBT^TM on advanced thin wafer technology, ISPSD2011, 68~71 (2011)
• Masuoka, F., et al.: Great Impact of RFC Technology on Fast Recovery Diode towards 600V for Low Loss and High Dynamic Ruggedness, ISPSD2012, 373~376 (2012)
• 高橋徹雄,ほか:新型パワーモジュール用第6世代 IGBTと薄ウェーハダイオード, 三菱電機技報, 84, No4, 224~227 (2010)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高性能 ,  破壊 ,  耐量 ,  世代 ,  パワー