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J-GLOBAL ID:201602248730044219   整理番号:16A1269532

酸素分子と芳香族電子アクセプターによる中性とカチオン性イリジウム(III)錯体の燐光消光

Phosphorescence quenching of neutral and cationic iridium(III) complexes by molecular oxygen and aromatic electron acceptors
著者 (7件):
資料名:
巻: 324  ページ: 134-144  発行年: 2016年06月30日 
JST資料番号: D0721B  ISSN: 1010-6030  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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分子状酸素と芳香性電子受容体(AEAs)による中性とカチオン性Ir(III)錯体の燐光消光はアセトニトリル中で系統的に検討された。AEAsによる燐光消光速度定数(kq)は電子移動反応のGibbsエネルギー変化(ΔGel)が減少すると増大し,拡散制御速度定数(kd)が2.0×1010M-1s-1となった。分離イオン収量がほぼ0.10-0.17と低かったが,電子移動を過渡吸収測定により立証した。Ir(III)錯体の酸素消光は一重項と三重項の会合複合体からの二つの競争経路から主に発生した,つまり非電荷移動(nCT)チャンネルであり,これは,一重項酸素(1O2)を生成する内部変換,および電荷移動(CT)チャンネルとみなされる。この速度はΔGelにより統制されている。Ir(III)錯体/O2系の場合のkd値は4.1×1010M-1s-1と推定された。ΔGel≦-0.8eVの系の場合,制限値kqeVは2.5×1010M-1s-1となり,酸素により消光された三重項状態からの1O2生成の効率(fΔ)は0.40となった。(4/9)kdより大となる制限値kqと0.25以上のfΔ値から,一重項,三重項,五重項CT複合体間の系間交差により1O2が形成した事を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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光化学一般  ,  遷移金属錯体一般  ,  錯体のルミネセンス 

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