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J-GLOBAL ID：201602250137560307   整理番号：16A0911520

化学気相堆積中の高周波バイアス電圧印加に伴う水素化非晶質炭化シリコンの化学構造の変化

Changes of chemical structure of hydrogenated amorphous silicon carbide films with the application of radio-frequency bias voltages during chemical vapor deposition

著者 (7件)： Ito Haruhiko (Department of Chemistry, Nagaoka University of Technology, Nagaoka 940-2188, Japan) ,  Ogaki Takeshi (Department of Chemistry, Nagaoka University of Technology, Nagaoka 940-2188, Japan) ,  Kumakura Motoki (Department of Chemistry, Nagaoka University of Technology, Nagaoka 940-2188, Japan) ,  Saeki Shunsuke (Department of Chemistry, Nagaoka University of Technology, Nagaoka 940-2188, Japan) ,  Suzuki Tsuneo (Extreme Energy-Density Research Institute of Nagaoka University of Technology, Nagaoka 940-2188, Japan) ,  Akasaka Hiroki (Department of Chemistry, Nagaoka University of Technology, Nagaoka 940-2188, Japan) ,  Saitoh Hidetoshi (Department of Chemistry, Nagaoka University of Technology, Nagaoka 940-2188, Japan)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 66  ページ： 1-9  発行年： 2016年06月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ波放電ArフローによるSi(CH₃)₄の分解を用いて,水素化非晶質炭化シリコン膜を作製した。基板への高周波バイアス電圧(-V_RF)の印加による膜の化学構造と機械的硬度の変化を調べた。分析は,ラザフォード後方散乱と反跳粒子検出分析,X線光電子分光,グロー放電発光分光,ナノインデンテーション測定およびフーリエ変換赤外分光法の組み合わせをベースとした。C-Si結合状態の割合は,-V_RFに対して正の依存性を持つ一方で,sp³混成状態のC-C結合のものは無視できるほどであった。さらに,0-20Vの低-V_RF条件下で,水素終端は効果的に除去された。膜は,雰囲気からバルク領域へのO原子の侵入を示した。本研究の膜の機械的硬度は,これら因子間のバランスの結果である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *水素化 ,  *非晶質 ,  *化学蒸着 ,  電圧 ,  *バイアス ,  HF【周波数】 ,  マイクロ波放電 ,  有機ケイ素化合物 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *分子構造 ,  *硬度 ,  化学結合
準シソーラス用語： 炭化シリコン ,  化学気相堆積 ,  バイアス電圧 ,  高周波 ,  化学構造 ,  C-Si結合

著者キーワード (5件)： Hydrogenated amorphous silicon carbide films ,  Microwave plasma CVD ,  Radio-frequency bias ,  Mechanical hardness ,  Chemical structure

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

物質索引 (1件)： テトラメチルシラン

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学気相堆積 ,  高周波バイアス ,  電圧印加 ,  水素化 ,  非晶質 ,  炭化シリコン ,  化学構造