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J-GLOBAL ID：201602279072095548   整理番号：16A1286447

超高次走査非線形誘電体顕微鏡を用いたりんを注入したエミッタとりん拡散エミッタにおけるキャリア分布の2次元解析【Powered by NICT】

Two-dimensional analysis of carrier distribution in phosphorus-implanted emitter and phosphorus-diffused emitter using super-higher-order scanning nonlinear dielectric microscopy

著者 (5件)： Hirose Kotaro (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, Miyagi, 980-8577, Japan) ,  Tanahashi Katsuto (Fukushima Renewable Energy Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Koriyama, Fukushima, 963-0298, Japan) ,  Takato Hidetaka (Fukushima Renewable Energy Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Koriyama, Fukushima, 963-0298, Japan) ,  Chinone Norimichi (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, Miyagi, 980-8577, Japan) ,  Cho Yasuo (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, Miyagi, 980-8577, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： PVSC  ページ： 3671-3674  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： りん(P)を注入したエミッタとP拡散エミッタにおける二次元キャリア分布は超高次走査型非線形誘電率顕微鏡(SHO SNDM)を用いて解析した。キャリア分布を明確にキャリブレーション試料を用いて視覚化し,定量化した。p型,n型および空乏層がSHO SNDM測定から得られた局所容量-電圧特性から識別した。n型領域と空乏層分布は表面組織に依存した。p-n接合の位置は空乏層におけるp型領域付近と推定した。n型領域と空乏層分布はP拡散エミッタよりもPイオン注入エミッタにおける厚かった。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： PN接合 ,  空乏層 ,  誘電体 ,  イオン注入 ,  *次元解析 ,  *顕微鏡 ,  二次元 ,  表面構造 ,  *リン ,  可視化 ,  *走査
準シソーラス用語： *キャリア分布 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (11件)： 走査 ,  非線形 ,  誘電体 ,  顕微鏡 ,  りん ,  注入 ,  エミッタ ,  拡散 ,  キャリア分布 ,  2次元 ,  解析