特許
J-GLOBAL ID：201603000203781017
EUVフォトマスクの欠陥を解析かつ除去する方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
西島 孝喜
, 弟子丸 健
, 田中 伸一郎
, 大塚 文昭
, 須田 洋之
, 上杉 浩
, 近藤 直樹
, 大浦 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-029117
公開番号（公開出願番号）：特開2016-103041
出願日： 2016年02月18日
公開日（公表日）： 2016年06月02日
要約：
【課題】少なくとも1つの基板と少なくとも1つの多層構造とを含む極紫外波長範囲のための光学要素の欠陥を解析する方法を提供する。【解決手段】本方法は、(a)欠陥を紫外放射線に露出することによって第1のデータを決定する段階と、(b)走査プローブ顕微鏡を用いて欠陥を走査することによって第2のデータを決定する段階と、(c)走査粒子顕微鏡を用いて欠陥を走査することによって第3のデータを決定する段階と、(d)第1、第2、及び第3のデータを結合する段階とを含む。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの基板と少なくとも1つの多層構造とを含む極紫外波長範囲のための光学要素の欠陥を解析する方法であって、
a.前記欠陥を紫外放射線に露出することによって第1のデータを決定する段階、
b.走査プローブ顕微鏡を用いて前記欠陥を走査することによって第2のデータを決定する段階、
c.走査粒子顕微鏡を用いて前記欠陥を走査することによって第3のデータを決定する段階、及び
d.前記第1、前記第2、及び前記第3のデータを結合する段階、
を含むことを特徴とする方法。
IPC (4件)：
G03F 1/84
, G03F 1/24
, G03F 1/72
, G01N 23/225
G03F1/84
, G03F1/24
, G03F1/72
, G01N23/225 310
2G001AA03
, 2G001BA05
, 2G001BA07
, 2G001CA03
, 2G001GA01
, 2G001GA06
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 2G001RA04
, 2G001RA06
, 2H195BA10
, 2H195BD04
, 2H195BD05
, 2H195BD12
, 2H195BD14
, 2H195BD18
, 2H195BD27
, 2H195BD32
, 2H195BD33
, 2H195BD35
, 2H195BD36
, 2H195CA11
, 2H195CA22
