特許
J-GLOBAL ID：201603001109358441
半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
筒井 大和
, 菅田 篤志
, 筒井 章子
, 坂次 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-136529
公開番号（公開出願番号）：特開2016-015397
出願日： 2014年07月02日
公開日（公表日）： 2016年01月28日
要約：
【課題】半導体記憶装置(抵抗変化素子)の特性を向上させる。【解決手段】下部電極LEとして、Ru膜をスパッタリング法などにより形成し、その上に、Ta膜をスパッタリング法などにより形成する。次いで、Ta膜をプラズマ酸化することにより、Ta膜を酸化しTa2O5を形成するとともに、RuをTa2O5中に拡散させ、Ta2O5中にRuが拡散した層(抵抗変化層VR)を形成する。このように、遷移金属酸化物(例えば、Ta2O5)TMO中に金属(例えば、Ru)Mを含有させることで、金属Mにより、フィラメントに対して付加的な電子伝導パスを形成することができ、フィラメントの密度や太さが低下し、低抵抗化し難くなるOFF固着を抑制し、ON特性を向上させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に配置された抵抗変化層と、
を有し、
前記抵抗変化層は、第1金属の酸化物層と、前記第1金属の酸化物層中に含まれている第2金属と、を有し、
前記第1金属は、遷移金属であり、
前記第2金属は、前記第1金属の酸化物のバンドギャップ内に電子準位を形成する金属である、半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083GA21
, 5F083GA25
, 5F083GA27
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA53
, 5F083JA56
, 5F083JA60
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083NA03
, 5F083PR07
, 5F083PR39
, 5F083PR40
