特許
J-GLOBAL ID：200903035850737669
可変抵抗素子、可変抵抗素子の製造方法、不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-317733
公開番号（公開出願番号）：特開2009-141225
出願日： 2007年12月07日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
【課題】リーク電流を増加させることなく、金属酸化物中に導通部を形成するためのフォーミング電圧を低下する可変抵抗素子を用いた不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】可変抵抗素子1は、電極11および電極12と、電極11と電極12とに挟まれた金属酸化物10とを備え、電極11および電極12に印加する電圧に応じて電極11および電極12間の電気抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子1であって、金属酸化物10内に、電極11および電極12の少なくとも一方から離間した、金属酸化物10よりも電気抵抗の低い低抵抗物14をさらに備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極および第2電極と、上記第1電極と上記第2電極とに挟まれた金属酸化物とを備え、上記第1電極および上記第2電極間に印加する電圧に応じて上記第1電極および上記第2電極間の電気抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子であって、
上記金属酸化物内に、上記第1電極および上記第2電極の少なくとも一方から離間した、上記金属酸化物よりも電気抵抗の低い低抵抗物をさらに備えていることを特徴とする、可変抵抗素子。
IPC (4件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
, G11C 13/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
, G11C13/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA01
, 5F083GA05
, 5F083GA06
, 5F083GA21
, 5F083GA30
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083PR04
, 5F083PR22
, 5F083PR33
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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