特許

J-GLOBAL ID：201203042749548237

グラフェン配線およびその製造方法

発明者： 斎藤 達朗 ,  和田 真 ,  梶田 明広 ,  坂田 敦子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (18件)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-225777
公開番号（公開出願番号）：特開2012-080006
出願日： 2010年10月05日
公開日（公表日）： 2012年04月19日
要約：

【課題】配線構造における電気特性の向上を図る。【解決手段】グラフェン配線の製造方法は、絶縁膜13内に、配線溝30を形成し、前記配線溝内の全面に、触媒膜14を形成し、前記配線溝内の前記触媒膜上に、前記配線溝の底面に対して垂直方向に積層された複数のグラフェンシート16a〜16eで構成されるグラフェン層16を形成することを具備する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜内に、配線溝を形成し、 前記配線溝内に、触媒膜を形成し、 前記配線溝内の前記触媒膜上に、前記配線溝の底面に対して垂直方向に積層された複数のグラフェンシートで構成されるグラフェン層を形成する ことを具備することを特徴とするグラフェン配線の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  C01B 31/02

FI (4件)：

H01L21/88 M ,  H01L21/285 C ,  H01L21/28 301Z ,  C01B31/02 101Z

Fターム (57件)：

4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AD21 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BC09 ,  4G146BC32B ,  4G146BC33B ,  4G146BC44 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD47 ,  4M104HH16 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM17 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN11 ,  5F033PP01 ,  5F033PP06 ,  5F033PP08 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033XX10

引用特許：

審査官引用 (5件)

• グラフェンの作製方法、グラフェン、グラフェン作製装置及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-059869   出願人：株式会社東芝
• 配線構造体、半導体装置および配線構造体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-235614   出願人：富士通株式会社
• 集積回路装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-226457   出願人：富士通株式会社
• 配線構造、半導体装置、MRAMおよび半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-247860   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-164993   出願人：株式会社東芝