特許
J-GLOBAL ID：201303066277118121

カーボンナノチューブが表面に成長する金属基材及びその製造プロセス

発明者：
シャー,ツァシャー,ケー.

シャー,ツァシャー,ケー. について

, 
マレット,ブランドン,ケー.

マレット,ブランドン,ケー. について

, 
パテール,ジガー,エム.

パテール,ジガー,エム. について


出願人/特許権者：
アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニー

アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニー について


代理人 (9件)： 笹島 富二雄 ,  奥山 尚一 ,  小川 護晃 ,  西山 春之 ,  池本 理絵 ,  関谷 充司 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-527292
公開番号（公開出願番号）：特表2013-536796
出願日： 2011年08月31日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：
金属基材にカーボンナノチューブを成長させるためのプロセスが本明細書に記載されている。そのプロセスには、金属基材に触媒前駆体を析出させること、任意で、金属基材に非触媒物質を析出させること、及び、触媒前駆体及び任意の非触媒物質の析出後、カーボンナノチューブが表面に成長するように、金属基材をカーボンナノチューブ成長環境に曝露すること、が含まれる。カーボンナノチューブ成長環境は、触媒前駆体をカーボンナノチューブの成長に使用可能な触媒に変換する。金属基材は、静止した状態であるか、あるいは、カーボンナノチューブが成長している間、搬送されることが可能である。表面にカーボンナノチューブが成長した金属基材も記載されている。
請求項（抜粋）：
金属基材に触媒前駆体を析出させること、 前記金属基材に非触媒物質を析出させること、及び 前記触媒前駆体及び前記非触媒物質の析出後、カーボンナノチューブが表面に成長するように、前記金属基材をカーボンナノチューブ成長環境に曝露すること、 を含んで構成され、 前記カーボンナノチューブ成長環境は、前記触媒前駆体をカーボンナノチューブの成長に使用可能な触媒に変換するカーボンナノチューブ成長プロセス。
IPC (4件)：
C01B 31/02 ,  B01J 23/46 ,  B01J 23/745 ,  B01J 23/75
FI (4件)：
C01B31/02 101F ,  B01J23/46 M ,  B01J23/74 301M ,  B01J23/74 311M
Fターム (38件)：
4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AC03B ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA17 ,  4G169BA21C ,  4G169BB04C ,  4G169BB08C ,  4G169BB12C ,  4G169BC16B ,  4G169BC31B ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC67A ,  4G169BC67B ,  4G169BC72A ,  4G169BC72B ,  4G169BD12C ,  4G169CB81 ,  4G169DA05 ,  4G169EA02Y ,  4G169EA07 ,  4G169EB18Y ,  4G169EB19 ,  4G169FA04 ,  4G169FA06 ,  4G169FB05 ,  4G169FB06 ,  4G169FB08 ,  4G169FB23
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM