特許
J-GLOBAL ID：201603001331980916
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-552384
特許番号：特許第5882363号
出願日： 2012年06月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】(a)炭化珪素半導体層上に、半導体素子の終端部となる領域上に第1の開口部および第2の開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
(b)前記レジストパターンをマスクとするエッチングにより、前記第1の開口部の下の炭化珪素半導体層に深さ50nm以下のリセスを、前記第2の開口部の下の炭化珪素半導体層に深さ50nm以下のアライメントマークをそれぞれ形成する工程と、
(c)前記工程(b)の後に、前記レジストパターンをマスクにして不純物をイオン注入することにより、前記リセスの下に終端領域を形成する工程と、
(d)前記炭化珪素半導体層にマーク検出用照射光を照射し、前記マーク検出用照射光が前記アライメントマークのエッジ部分で反射した反射光であり、当該エッジ部分以外での反射光の方向とは異なる特定の光学経路へ進入するマーク検出用回折光を検出することによって、前記アライメントマークを検出する工程と
を備え、
前記工程(d)の際に前記アライメントマーク上に形成されている膜の屈折率の最大値をnmax、前記アライメントマークの検出のために前記炭化珪素半導体層に照射する前記マーク検出用照射光の波長をλとすると、
前記アライメントマークの深さは、λ/nmax/6以下である
ことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/47 ( 200 6.01)
, H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
, G03F 9/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/266 ( 200 6.01)
, H01L 21/02 ( 200 6.01)
H01L 29/48 E
, H01L 21/30 502 M
, G03F 9/00 H
, H01L 21/265 M
, H01L 21/02 A
