特許
J-GLOBAL ID:201603001427809746
有機半導体材料
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (2件):
恩田 誠
, 恩田 博宣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-120754
公開番号(公開出願番号):特開2016-001659
出願日: 2014年06月11日
公開日(公表日): 2016年01月07日
要約:
【課題】有機トランジスタ、有機発光ダイオード、有機レーザー、フレキシブルディスプレイ、多機能スイッチ、多機能センサー、有機薄膜太陽電池、及び有機メモリーに適用可能な、含硫黄縮合環化合物を含有する有機半導体材料を提供する。【解決手段】下記一般式(8)で示される非対称構造の縮合環骨格を有する有機半導体材料。(nは1〜5の整数であり、Yは特定環状構造を有する官能基である。)【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示される縮合環数が5〜9の縮合環骨格を有する含硫黄縮合環化合物を含有する有機半導体材料。
IPC (4件):
H01L 51/30
, H01L 51/05
, H01L 51/40
, H01L 29/786
FI (4件):
H01L29/28 250H
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 310J
, H01L29/78 618B
Fターム (20件):
4C071AA01
, 4C071AA07
, 4C071BB01
, 4C071CC22
, 4C071EE13
, 4C071FF23
, 4C071JJ07
, 4C071LL07
, 5F110CC07
, 5F110DD05
, 5F110EE08
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF09
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110HK02
引用特許:
審査官引用 (3件)
-
有機トランジスタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-021861
出願人:三井化学株式会社
-
有機半導体材料
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-031156
出願人:株式会社東海理化電機製作所, 国立大学法人山形大学
-
非対称ジベンゾジチエノチオフェン化合物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-218992
出願人:ゼロックスコーポレイション
前のページに戻る