特許

J-GLOBAL ID：201603001574449062

基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

発明者： 佐々木 隆史 ,  山本 哲夫
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (3件)： 福岡 昌浩 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-128987
公開番号（公開出願番号）：特開2016-009742
出願日： 2014年06月24日
公開日（公表日）： 2016年01月18日
要約：

【課題】シャワーヘッドを介してガス供給を行う場合であっても、シャワーヘッド内および処理空間内のそれぞれに対してクリーニング処理を十分かつ良好に行えるようにする。【解決手段】基板を処理する処理空間と、貫通孔が設けられた分散板を挟んで処理空間と隣接するシャワーヘッドバッファ室と、シャワーヘッドバッファ室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、処理空間内にクリーニングガスを供給する処理空間クリーニングガス供給系と、処理空間へのクリーニングガスの供給とシャワーヘッドバッファ室への不活性ガスの供給とを並行して行うように、不活性ガス供給系及び処理空間クリーニングガス供給系を制御する制御部と、を備えて基板処理装置を構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理空間と、 貫通孔が設けられた分散板を挟んで前記処理空間と隣接するシャワーヘッドバッファ室と、 前記シャワーヘッドバッファ室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、 前記処理空間内にクリーニングガスを供給する処理空間クリーニングガス供給系と、 前記処理空間へのクリーニングガスの供給と前記シャワーヘッドバッファ室への不活性ガスの供給とを並行して行うように、前記不活性ガス供給系及び前記処理空間クリーニングガス供給系を制御する制御部と、 を有する基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/324

FI (6件)：

H01L21/31 B ,  H01L21/31 C ,  H01L21/302 101H ,  H01L21/318 B ,  C23C16/44 J ,  H01L21/324 Z

Fターム (52件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030DA06 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA41 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BD04 ,  5F004DA20 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC14 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EE13 ,  5F045EE19 ,  5F045EF05 ,  5F045EF20 ,  5F045EG02 ,  5F045EG05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH18 ,  5F045EN04 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30

引用特許：

審査官引用 (3件)

• CVD装置及びそのクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-103211   出願人：株式会社東芝
• CVD反応室のクリーニング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-341432   出願人：株式会社日本製鋼所
• プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-394282   出願人：東京エレクトロン株式会社