特許
J-GLOBAL ID:201603001780646834

発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 岩瀬 吉和 ,  小野 誠 ,  金山 賢教 ,  重森 一輝
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-103969
公開番号(公開出願番号):特開2013-058729
特許番号:特許第6000625号
出願日: 2012年04月27日
公開日(公表日): 2013年03月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1ドーパントのドープされた第1半導体層、第2ドーパントのドープされた第2半導体層、及び前記第1及び第2半導体層で挟持された第1活性層を有する第1領域と、前記第1領域上に配置され、前記第1ドーパントがドープされ、露出領域を有する第3半導体層、前記露出領域以外の前記第3半導体層上に配置され、前記第2ドーパントのドープされた第4半導体層、及び前記第3及び第4半導体層で挟持された第2活性層を有する第2領域と、前記第1及び第2領域の間に、前記第1領域上に第1中間層、及び前記第2領域と前記第1中間層との間に第2中間層を備える中間層と、を備える発光構造物と、 前記第1半導体層上に配置された第1電極と、 前記第4半導体層上に配置された第2電極と、 前記第3半導体層の前記露出領域、及び前記露出領域を貫通する孔に挿入されて前記第2半導体層上に配置され、前記第2及び第3半導体層と電気的に接続されている第3電極とを備えて, 前記第2半導体層と 前記第3半導体層は、互いに接する発光素子。
IPC (3件):
H01L 33/08 ( 201 0.01) ,  F21S 2/00 ( 201 6.01) ,  F21Y 101/00 ( 201 6.01)
FI (5件):
H01L 33/08 ,  F21S 2/00 231 ,  F21S 2/00 439 ,  F21S 2/00 482 ,  F21Y 101:00
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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