特許
J-GLOBAL ID：201603002011471718

SiNWアレイ上垂直配向型CNTの無触媒合成

発明者：
シェルク、マンジュシャ、ヴィラス

シェルク、マンジュシャ、ヴィラス について


出願人/特許権者：
カウンシル オブ サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ

カウンシル オブ サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-501800
特許番号：特許第5872672号
出願日： 2012年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 昇華性芳香族炭化水素を炭素前駆体として垂直配向型シリコンナノワイヤ(SiNW)と反応させ、垂直配向型シリコンナノワイヤそれぞれの活性先端においてカーボンナノチューブ(CNT)を成長させることを含む、SiNW-CNTの一次元直接ナノへテロ接合アレイを得るための無触媒化学蒸着(CVD)プロセス。
IPC (4件)：
C01B 31/02 ( 200 6.01) ,  C01B 33/02 ( 200 6.01) ,  B82Y 30/00 ( 201 1.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01)
FI (4件)：
C01B 31/02 101 F ,  C01B 33/02 Z ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM