特許
J-GLOBAL ID：201603002224206520
半導体装置及び半導体装置の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-152146
公開番号（公開出願番号）：特開2013-038401
特許番号：特許第5980015号
出願日： 2012年07月06日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁表面上に設けられたソース電極層又はドレイン電極層と、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層上に設けられた第1の酸化物半導体層と、
前記第1の酸化物半導体層に接し、前記第1の酸化物半導体層よりも小さいエネルギーギャップを有する第2の酸化物半導体層と、
前記第2の酸化物半導体層に接し、前記第2の酸化物半導体層より大きいエネルギーギャップを有する第3の酸化物半導体層と、
前記第3の酸化物半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第1の酸化物半導体層、前記第2の酸化物半導体層及び前記第3の酸化物半導体層と重畳する領域を有するゲート電極層と、を有し、
前記第3の酸化物半導体層は、前記第1の酸化物半導体層の側面及び前記第2の酸化物半導体層の側面を覆って、前記第2の酸化物半導体層上に設けられている半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 616 M
, G02F 1/136
, G09F 9/30 338
