特許
J-GLOBAL ID：201603002233642847

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-002477
公開番号（公開出願番号）：特開2016-106408
出願日： 2016年01月08日
公開日（公表日）： 2016年06月16日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス-熱ストレス試験(BT試験)前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極を形成し、 前記ゲート電極上に第1の絶縁膜を形成し、 前記第1の絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重畳する領域を有するように酸化物半導体膜を形成し、 前記酸化物半導体膜に第1の熱処理を行って、前記酸化物半導体膜中の水素を低減し、 前記酸化物半導体膜上に、前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成し、 前記酸化物半導体膜上と、前記ソース電極上と、前記ドレイン電極上とに、前記酸化物半導体膜と接する領域を有する金属酸化物膜を形成し、 前記金属酸化物膜上に、第2の絶縁膜を形成した後、前記第2の絶縁膜に酸素ラジカル、酸素原子、または酸素イオンを添加し、第2の熱処理を行う半導体装置の作製方法であって、 前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/477 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (6件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/477 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (74件)：
3K107AA01 ,  3K107AA07 ,  3K107AA08 ,  3K107AA09 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC33 ,  3K107EE04 ,  3K107FF15 ,  3K107FF17 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110BB10 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK42 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (9件)
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