特許
J-GLOBAL ID：201603002507190077

光検出器

発明者：
佐々木 啓太

佐々木 啓太 について

, 
上野 梨紗子

上野 梨紗子 について

, 
舟木 英之

舟木 英之 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-188182
公開番号（公開出願番号）：特開2016-062996
出願日： 2014年09月16日
公開日（公表日）： 2016年04月25日
要約：
【課題】簡易な構成で、近赤外領域の光に対する感度を向上させることができる、光検出器を提供する。【解決手段】光検出器10は、第1の光検出層12Aと、反射層20と、を備える。第1の光検出層12Aは、光の入射する第1面15Aと第1面15Aの反対側の第2面15Bとを有し、Siを主成分として含むp型半導体層とSiを主成分として含むn型半導体層とを接合したpn接合を含む第1の光検出領域140を備える。反射層20は、第1の光検出領域140の第2面15B側に設けられ、近赤外領域の少なくとも一部の光を反射する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光の入射する第1面と前記第1面の反対側の第2面とを有し、Siを主成分として含むp型半導体層とSiを主成分として含むn型半導体層とを接合したpn接合を含む第1の光検出領域を備えた第1の光検出層と、 前記第1の光検出領域の前記第2面側に設けられ、近赤外領域の少なくとも一部の光を反射する反射層と、 を備えた光検出器。
IPC (3件)：
H01L 27/14 ,  H01L 31/10 ,  H01L 27/146
FI (3件)：
H01L27/14 D ,  H01L31/10 A ,  H01L27/14 A
Fターム (15件)：
4M118AA01 ,  4M118AB02 ,  4M118AB03 ,  4M118BA06 ,  4M118CA03 ,  4M118CA18 ,  4M118FA27 ,  4M118GA02 ,  4M118GA08 ,  4M118GD15 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049SZ16 ,  5F049WA01
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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