半導体光検出素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 石田悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-006066
公開番号（公開出願番号）：特開2013-093609
出願日： 2013年01月17日
公開日（公表日）： 2013年05月16日
要約：

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子を提供すること。【解決手段】フォトダイオードPD3は、n-型半導体基板1を備え、裏面入射型である。n-型半導体基板1は、互いに対向する第1主面1a及び第2主面1bを有し、第1主面1a側にP+型半導体領域3が形成されている。n-型半導体基板1の第2主面1bにおける少なくともP+型半導体領域3に対向する領域には、不規則な凹凸10が形成されている。n-型半導体基板1の第2主面1b側には、n-型半導体基板1よりも高い不純物濃度を有するアキュムレーション層11が形成されている。n-型半導体基板1の第2主面1bにおける不規則な凹凸10が形成された領域は、光学的に露出している。【選択図】図21

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体領域と第2導電型の半導体領域とで形成されたpn接合を有するシリコン基板を備え、前記シリコン基板には、該シリコン基板の一の主面側に第1導電型のアキュムレーション層が形成されていると共に、前記一の主面における少なくとも前記pn接合に対向する領域に不規則な凹凸が形成されており、前記シリコン基板の前記一の主面における前記pn接合に対向する前記領域は、光学的に露出し、少なくとも前記pn接合に対向する前記領域に不規則な前記凹凸が形成された前記一の主面が光入射面とされて、前記一の主面から入射した光が前記シリコン基板内を進む、裏面入射型であることを特徴とする半導体光検出素子。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (7件)：

5F049MA02 , 5F049MB03 , 5F049QA06 , 5F049QA20 , 5F049SS03 , 5F049SZ20 , 5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (10件)

特許第5185206号
裏面入射型光検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-278567 出願人：浜松ホトニクス株式会社
光センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-244388 出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社

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