特許

J-GLOBAL ID：201603003555092288

半導体装置、及び該半導体装置を有する表示装置

発明者： 岡崎 健一 ,  肥塚 純一 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-058063
公開番号（公開出願番号）：特開2016-181695
出願日： 2016年03月23日
公開日（公表日）： 2016年10月13日
要約：

【課題】酸化物半導体膜を有する半導体装置において、電気特性に優れたトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、トランジスタは、第1のゲート電極と、第1の絶縁膜と、酸化物半導体膜と、ソース電極及びドレイン電極と、第2の絶縁膜と、第2のゲート電極と、を有する。酸化物半導体膜は、第1の絶縁膜上に接する第1の酸化物半導体膜と、第1の酸化物半導体膜上に接する第2の酸化物半導体膜と、第2の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第3の酸化物半導体膜と、を有し、第1の酸化物半導体膜乃至第3の酸化物半導体膜は、Inと、Znと、M(Mは、Al、Ga、Y、またはSnを表す)と、を有し、第3の酸化物半導体膜は、第2の酸化物半導体膜の側面に接する領域と、第2の絶縁膜に接する領域と、を有し、第3の酸化物半導体膜は、Mの含有量が、Inの含有量以上である領域を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

トランジスタを有する半導体装置であって、 前記トランジスタは、 第1のゲート電極と、 前記第1のゲート電極上の第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜を間に挟んで前記第1のゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極と、 前記酸化物半導体膜と電気的に接続するドレイン電極と、 前記酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜を間に挟んで前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する第2のゲート電極と、を有し、 前記酸化物半導体膜は、前記第1の絶縁膜上に接する第1の酸化物半導体膜と、 前記第1の酸化物半導体膜上に接する第2の酸化物半導体膜と、 前記第2の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第3の酸化物半導体膜と、を有し、 前記第1の酸化物半導体膜乃至前記第3の酸化物半導体膜は、Inと、Znと、M(Mは、Al、Ga、Y、またはSnを表す)と、を有し、 前記第3の酸化物半導体膜は、前記第2の酸化物半導体膜の側面に接する領域と、前記第2の絶縁膜に接する領域と、を有し、 前記第3の酸化物半導体膜は、前記Mの含有量が、前記Inの含有量以上である領域を有する、 ことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/00

FI (10件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 619A ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  G09F9/30 348A ,  G09F9/00 366A

Fターム (140件)：

2H192AA24 ,  2H192BA25 ,  2H192BB03 ,  2H192BB04 ,  2H192BB12 ,  2H192BB53 ,  2H192BB73 ,  2H192BB84 ,  2H192BC31 ,  2H192CB08 ,  2H192CB37 ,  2H192CB52 ,  2H192CB56 ,  2H192CC04 ,  2H192CC55 ,  2H192DA12 ,  2H192DA32 ,  2H192EA43 ,  2H192EA68 ,  2H192GD14 ,  2H192JA13 ,  2H192JA33 ,  2H192JA64 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107EE04 ,  3K107FF14 ,  3K107HH05 ,  5C094AA31 ,  5C094BA03 ,  5C094BA23 ,  5C094BA27 ,  5C094BA31 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094HA03 ,  5C094HA08 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110NN04 ,  5F110NN13 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5G435AA14 ,  5G435BB04 ,  5G435BB05 ,  5G435BB06 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435EE49 ,  5G435LL07 ,  5G435LL08 ,  5G435LL10

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-123633   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-099421   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-139547   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 酸化物半導体積層膜及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-156486   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-156473   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-151180   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所