特許
J-GLOBAL ID：201503065993224593

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
早川 昌彦

早川 昌彦 について

, 
松林 大介

松林 大介 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-099421
公開番号（公開出願番号）：特開2014-241406
出願日： 2014年05月13日
公開日（公表日）： 2014年12月25日
要約：
【課題】電気特性(例えば、オン電流、電界効果移動度、周波数特性等)の優れたトランジスタを有する半導体装置を提供する。または、信頼性の高いトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】第1のゲート電極及び第2のゲート電極の間に酸化物半導体膜が設けられるデュアルゲート構造のトランジスタであって、トランジスタのチャネル幅方向において、第1のゲート電極及び第2のゲート電極の側面はそれぞれ、酸化物半導体膜の側面より外側に位置する半導体装置である。第1のゲート電極または第2のゲート電極は、第1のゲート電極または第2のゲート電極と酸化物半導体膜との間に設けられたゲート絶縁膜を介して、酸化物半導体膜の側面と対向する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上の第1のゲート電極と、 前記第1のゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、 前記第1のゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間の第1のゲート絶縁膜と、 前記酸化物半導体膜に接する一対の電極と、 前記第1のゲート絶縁膜と異なる面で前記酸化物半導体膜と接する第2のゲート絶縁膜と、 前記第2のゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる第2のゲート電極と、 を有するトランジスタを有し、 前記トランジスタに負荷を与える時間に対する前記トランジスタのしきい値電圧の変動量を示す両対数グラフにおいて、横軸と縦軸の対数目盛の間隔が等しく、 しきい値電圧の変動量の累乗近似線と、しきい値電圧の変動量が0Vである直線とがなす角度が30°以下であり、 前記トランジスタに負荷を与える時間が0.1時間のときのしきい値電圧の変動量が0.2V未満であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  G02F 1/136
FI (7件)：
H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 618A ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  G02F1/1368
Fターム (126件)：
2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB08 ,  2H192CB37 ,  2H192CB42 ,  2H192CB56 ,  2H192CB71 ,  2H192CB83 ,  2H192CC04 ,  2H192DA15 ,  2H192DA24 ,  2H192DA43 ,  2H192EA22 ,  2H192EA43 ,  2H192FB02 ,  2H192FB15 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104EE03 ,  4M104EE06 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG08 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (5件)
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