特許
J-GLOBAL ID：201403080841607081

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-139547
公開番号（公開出願番号）：特開2014-030012
出願日： 2013年07月03日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
要約：
【課題】酸化物半導体層を用いるトランジスタは、酸化物半導体層と接する絶縁膜の影響、即ち、酸化物半導体層と絶縁膜の界面状態により電気特性が左右される。【解決手段】1層目の酸化物半導体層S1、2層目の酸化物半導体層S2、及び3層目の酸化物半導体層S3を順に積層し、キャリアを流す酸化物半導体層がシリコンを含むゲート絶縁膜から離れている構造とする。1層目の酸化物半導体層S1の膜厚は他のS2、S3よりも小さいことが好ましく、10nm以下、望ましくは5nm以下とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上に第1の酸化物半導体層と、 前記第1の酸化物半導体層上に第2の酸化物半導体層と、 前記第2の酸化物半導体層上に第3の酸化物半導体層と、 前記第3の酸化物半導体層上に第2の絶縁層とを有し、 前記第2の酸化物半導体層と前記第1の酸化物半導体層との界面近傍では、それぞれの伝導帯下端のエネルギーが連続的に変化することを特徴とする半導体装置。
IPC (13件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/08
FI (12件)：
H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 619A ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 321G ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/08
Fターム (138件)：
2H192AA24 ,  2H192CB02 ,  2H192CB05 ,  2H192CB34 ,  2H192CB37 ,  2H192CB56 ,  2H192CB83 ,  2H192FB02 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107EE04 ,  3K107FF14 ,  3K107FF15 ,  3K107FF19 ,  3K107HH04 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB03 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BD10 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG06 ,  5F048BG11 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F048CB08 ,  5F048DA23 ,  5F083EP02 ,  5F083EP21 ,  5F083ER21 ,  5F083GA11 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA01 ,  5F083ZA11 ,  5F101BA17 ,  5F101BB01 ,  5F101BD12 ,  5F101BD30 ,  5F101BD39 ,  5F101BE07 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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