特許
J-GLOBAL ID：201603003661145358
トランジスタ構造およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
名古屋国際特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-550411
公開番号（公開出願番号）：特表2016-506080
出願日： 2013年12月04日
公開日（公表日）： 2016年02月25日
要約：
深い凹状のP+接合を有するトランジスタデバイスが開示されている。トランジスタデバイスは、トランジスタデバイスの上面上にゲートおよびソースを備え、少なくとも1つのドープウェル領域を含んでおり、少なくとも1つのドープウェル領域は、トランジスタデバイス内のソース領域の導電型とは異なる第1導電型を有し、少なくとも1つのドープウェル領域は、トランジスタデバイスの上面から所定の深さだけ凹んでいる。深い凹状のP+接合は、ソースコンタクト領域内の深い凹状のP+埋め込み接合であってもよい。深い凹状のP+接合は、トランジスタデバイスにおける終端構造より深くてもよい。トランジスタデバイスは、炭化ケイ素(SiC)MOSFETデバイスであってもよい。
請求項（抜粋）：
トランジスタデバイスであって、前記トランジスタデバイスの上面上にゲートおよびソースを備え、前記トランジスタデバイスは、少なくとも1つのドープウェル領域をさらに備え、前記少なくとも1つのドープウェル領域は、前記トランジスタデバイス内のソース領域の導電型とは異なる第1導電型を有し、前記少なくとも1つのドープウェル領域は、前記ゲート上のゲート酸化物上の電界を低減させるのに十分な深さだけ、前記トランジスタデバイスの前記上面から凹んでいる、トランジスタデバイス。
IPC (6件)：
H01L 29/78
, H01L 29/744
, H01L 29/12
, H01L 29/06
, H01L 21/336
, H01L 29/739
H01L29/78 652D
, H01L29/74 C
, H01L29/78 652J
, H01L29/78 652A
, H01L29/78 652G
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 652F
, H01L29/78 652E
, H01L29/06 301M
, H01L29/06 301V
, H01L29/78 652N
, H01L29/06 301G
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 655A
