特許
J-GLOBAL ID：201603004202674328
半導体素子の接合方法および接合構造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小越 勇
, 小越 一輝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-539671
特許番号：特許第5875124号
出願日： 2012年10月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 有機分子で覆われていない導電性ナノ粒子を一方の半導体素子表面に配列し、前記導電性ナノ粒子の配列間隔が導電性ナノ粒子サイズの2倍以上10倍以下の距離であって、その上に他方の半導体素子を圧着させることを特徴とする半導体素子の接合方法。
IPC (7件)：
H01L 25/065 ( 200 6.01)
, H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
, H01L 31/0687 ( 201 2.01)
, B22F 1/00 ( 200 6.01)
, H01L 31/0725 ( 201 2.01)
, H01L 31/078 ( 201 2.01)
H01L 25/08 B
, H01L 31/06 310
, B22F 1/00 K
, B22F 1/00 M
, B22F 1/00 N
, B22F 1/00 R
, H01L 31/06 410
, H01L 31/06 600
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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