半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-121640
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016783
特許番号：特許第6009226号
出願日： 2012年05月29日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を形成し、前記チャネル形成領域と重畳して前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜及びゲート電極層を形成し、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜、及び前記ゲート電極層上に、前記酸化物半導体膜と接する領域を有する金属元素を含む絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極層をマスクとして、前記金属元素を含む絶縁膜を通過して前記酸化物半導体膜にドーパントを導入して、前記酸化物半導体膜に低抵抗領域を形成し、前記低抵抗領域は、前記チャネル形成領域を間に挟んで設けられ、前記チャネル形成領域より抵抗が低く、前記ドーパントを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (2件)：