特許
J-GLOBAL ID：201603004516402829

レチクル、露光方法、半導体装置の製造方法

発明者：
牛田 文雄

牛田 文雄 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  山口 昭則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-094149
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222100
特許番号：特許第5978732号
出願日： 2012年04月17日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 透明基板と、 前記透明基板上の領域であって、半導体素子パターンが形成され、第1の幅を有する最外周スクライブ領域内側部分により囲まれた素子領域と、 前記透明基板上の領域であって、前記最外周スクライブ領域内側部分を囲む最外周スクライブ領域外側部分と、 前記透明基板に形成され、前記最外周スクライブ領域外側部分を囲む遮光帯と、 を含み、 前記最外周スクライブ領域外側部分は、前記第1の幅よりも狭い第2の幅を有し、 前記最外周スクライブ領域外側部分はマーカパターン領域を含み、 前記遮光帯は、前記素子領域、及び前記最外周スクライブ領域内側部分、前記最外周スクライブ領域外側部分とを含む有効パターン領域の中心を通り第1の方向あるいは前記第1の方向に垂直な第2の方向に延在する有効パターン領域中心線に対し、前記マーカパターン領域と線対称な位置に、前記マーカパターン領域に対応する遮光パターン領域を有し、 前記マーカパターン領域は、前記最外周スクライブ領域内側部分と前記最外周スクライブ領域外側部分との境界にその中心線を一致させて形成されており、前記マーカパターン領域の幅は、前記第2の幅の二倍を超えることを特徴とするレチクル。
IPC (3件)：
G03F 1/68 ( 201 2.01) ,  G03F 1/38 ( 201 2.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)
FI (4件)：
G03F 1/68 ,  G03F 1/38 ,  H01L 21/30 523 ,  H01L 21/30 502 M
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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