特許
J-GLOBAL ID：201603004791595297
成膜装置、基板処理装置及び成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-066665
公開番号（公開出願番号）：特開2014-135464
特許番号：特許第6011417号
出願日： 2013年03月27日
公開日（公表日）： 2014年07月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空容器内にて基板に対して成膜処理を行うための成膜装置において、
基板を載置する基板載置領域を公転させるための回転テーブルと、
前記基板載置領域に処理ガスを供給する処理ガス供給部を含み、前記回転テーブルの回転に伴い基板上に分子層あるいは原子層を順次積層して薄膜を形成するための成膜領域と、
この成膜領域に対して前記回転テーブルの回転方向に離間して設けられ、プラズマ発生用ガスをプラズマ化して生成したプラズマにより前記分子層あるいは原子層を改質処理するためのプラズマ処理部と、
前記プラズマ処理部において前記回転テーブルの下方側に隙間を介して設けられ、プラズマ中のイオンを基板の表面に引き込むためのバイアス電位を静電誘導により当該基板に発生させるためのバイアス電極部と、
前記真空容器内を排気するための排気機構と、を備え、
前記回転テーブルの下面には、前記バイアス電極部が潜り込むための凹部が当該回転テーブルの周方向に沿ってリング状に形成されていることを特徴とする成膜装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C23C 16/505 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, C23C 16/505
