特許

J-GLOBAL ID：201603004927938770

半導体レーザ

発明者： 比嘉 康貴 ,  黒部 立郎 ,  若葉 昌布
出願人/特許権者： 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社
代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  加藤 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-176210
公開番号（公開出願番号）：特開2016-051807
出願日： 2014年08月29日
公開日（公表日）： 2016年04月11日
要約：

【課題】分布反射型レーザで、DBRの反射率の低下とDFBでの空間ホールバーニングの発生を防止して、高出力の単一縦モード発振を実現する。【解決手段】 半導体レーザは、半導体基板と、前記半導体基板上に位置し、活性層と第1の回折格子を有する活性領域と、前記半導体基板上に位置し、前記活性層と光軸方向で連続する導波層、及び前記第1の回折格子と前記光軸方向で連続する第2の回折格子を有する導波領域と、を有し、前記第2の回折格子の繰り返し周期は均一であり、前記第1の回折格子は繰り返し周期が不均一な部分を有し、前記第1の回折格子の格子存在密度は前記第2の回折格子の格子存在密度よりも小さく設定されている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板上に位置し、活性層と第1の回折格子を有する活性領域と、 前記半導体基板上に位置し、前記活性層と光軸方向で連続する導波層、及び前記第1の回折格子と前記光軸方向で連続する第2の回折格子を有する導波領域と、 を有し、 前記第2の回折格子の繰り返し周期は均一であり、 前記第1の回折格子は繰り返し周期が不均一な部分を有し、前記第1の回折格子の格子存在密度は前記第2の回折格子の格子存在密度よりも小さく設定されている ことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/125 ,  H01S 5/12

FI (2件)：

H01S5/125 ,  H01S5/12

Fターム (6件)：

5F173AA29 ,  5F173AB03 ,  5F173AB13 ,  5F173AH07 ,  5F173AP33 ,  5F173AR04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 分布帰還型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-341967   出願人：日本電気株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-160635   出願人：日本電気株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-101072   出願人：富士通株式会社
• 分布帰還型半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-293222   出願人：古河電気工業株式会社