特許
J-GLOBAL ID：200903011278995914

ショットキ接合を有する炭化珪素半導体装置

発明者：
戸田 忠夫

戸田 忠夫 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-333551
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164528
出願日： 1998年11月25日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、取り扱いが容易な金属を用いて、ショットキバリア高さを低下させ、順方向の立ち上がり電圧を低減させた半導体装置を提供する。【解決手段】 高融点金属をショットキ電極4としてSiC半導体層2上に設けたショットキ接合を有する半導体装置であって、上記SiC半導体層2にショットキ電極4の金属が反応した合金層5を形成し、ショットキ接合のバリア高さを下げる。
請求項（抜粋）：
高融点金属をショットキ電極として炭化珪素半導体上に設けたショットキ接合を有する炭化珪素半導体装置であって、上記炭化珪素半導体にショットキ電極の金属が反応した合金層を形成し、ショットキ接合のバリア高さを下げたことを特徴とするショットキ接合を有する炭化珪素半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (4件)：
H01L 21/28 301 F ,  H01L 21/28 B ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/80 M
Fターム (25件)：
4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104DD83 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104HH17 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC24
引用特許：
審査官引用 (5件)
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