特許

J-GLOBAL ID：201603005357030202

電子デバイス、その製造方法、及びその製造装置

発明者： 里吉 務 ,  石田 寛 ,  佐々木 和男 ,  古田 守
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  高知県公立大学法人
代理人 (2件)： 別役 重尚 ,  村松 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-203379
公開番号（公開出願番号）：特開2016-072570
出願日： 2014年10月01日
公開日（公表日）： 2016年05月09日
要約：

【課題】性能の低下を防止することができる電子デバイスを提供する。【解決手段】TFT21は、IGZO膜によって構成されるチャネル14と、該チャネル14に隣接するエッチストップ膜22と、該エッチストップ膜22を挟んでチャネル14に対向するパシベーション膜23とを備え、パシベーション膜23が弗素含有窒化珪素膜からなり、エッチストップ膜22及びチャネル14の境界における弗素原子の濃度は、チャネル14の境界以外の部分における弗素原子の濃度よりも高く、且つエッチストップ膜22の上記境界以外の部分における弗素原子の濃度分布は、上記境界に向けて低下する濃度勾配を有する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

酸化物半導体をなす金属酸化物膜と、該金属酸化物膜に隣接する第1の膜と、該第1の膜を挟んで前記金属酸化物膜に対向する第2の膜とを備える電子デバイスにおいて、 前記第1の膜及び前記第2の膜の少なくとも1つが弗素含有膜からなり、 前記第1の膜及び前記金属酸化物膜の境界における弗素原子の濃度は、前記金属酸化物膜の前記境界以外の部分における弗素原子の濃度よりも高く、少なくとも前記第1の膜の前記境界以外の部分における弗素原子の濃度分布は、前記境界に向けて低下する濃度勾配を有することを特徴とする電子デバイス。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (5件)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B

Fターム (50件)：

5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BD13 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF34 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG42 ,  5F110HK32 ,  5F110HL22 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN15 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ23

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-051674   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-134475   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-112149   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Self-Aligned Bottom-Gate In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor With Source/Drain Regions Formed by Direct