特許
J-GLOBAL ID：201203000951029964

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-112149
公開番号（公開出願番号）：特開2012-009843
出願日： 2011年05月19日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：
【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。【解決手段】ゲート絶縁層上に膜厚が2nm以上15nm以下の薄い第1の酸化物半導体膜を形成し、第1の加熱処理を行って第1の酸化物半導体膜の表面から内部に向かって結晶成長させて第1の結晶層を形成し、第1の結晶層上に第1の酸化物半導体膜よりも厚い第2の酸化物半導体膜を形成し、第2の加熱処理を行って第1の結晶層からその上の第2の酸化物半導体膜表面に向かって結晶成長させて第2の結晶層を形成し、第2の結晶層を形成した後、さらに酸素ドープ処理を行って第2の結晶層に酸素原子を供給する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極層を形成し、 前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、 前記ゲート絶縁層にハロゲンドープ処理を行い、 前記ゲート絶縁層上に第1の酸化物半導体膜を形成し、 第1の加熱処理を行って前記第1の酸化物半導体膜の表面から内部に向かって結晶成長させて第1の結晶層を形成し、 前記第1の結晶層上に第2の酸化物半導体膜を形成し、 第2の加熱処理を行って前記第1の結晶層からその上の前記第2の酸化物半導体膜表面に向かって結晶成長させて第2の結晶層を形成し、 前記第1の結晶層及び前記第2の結晶層の積層上にソース電極層およびドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (9件)：
H01L29/78 618E ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618F ,  G02F1/1368 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (89件)：
2H092GA51 ,  2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA33 ,  2H092JA36 ,  2H092JB54 ,  2H092JB61 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092NA11 ,  2H092NA21 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107EE04 ,  3K107GG26 ,  3K107GG28 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (8件)
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