半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-134475
公開番号（公開出願番号）：特開2012-023360
出願日： 2011年06月16日
公開日（公表日）： 2012年02月02日
要約：

【課題】良好な電気特性を有する半導体装置を提供することである。【解決手段】チャネル領域を形成する酸化物半導体層と接するゲート絶縁層に、水素濃度が6×1020atoms/cm3未満であり、且つフッ素濃度が1×1020atoms/cm3以上であるゲート絶縁層を用いることで、ゲート絶縁層から放出される水素量が低減され、酸化物半導体層に水素が拡散することを防ぐことができる。さらに、フッ素により酸化物半導体層内に存在する水素を脱離させ、酸化物半導体層内の水素濃度を低減させることができるため、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することできる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極層と、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、前記ゲート電極層及び前記酸化物半導体層の間に形成されるゲート絶縁層と、を有し、前記ゲート絶縁層の水素濃度は6×1020atoms/cm3未満であり、前記ゲート絶縁層のフッ素濃度は1×1020atoms/cm3以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (7件)：

H01L29/78 617T , H01L29/78 618B , H01L29/78 617U , H01L21/316 X , H01L21/316 Y , H01L21/318 C , H01L29/78 619A

Fターム (54件)：

5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC11 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD15 , 5F058BF07 , 5F058BF12 , 5F058BF24 , 5F058BF29 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN72

引用特許：

審査官引用 (9件)

薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-066069 出願人：富士フイルム株式会社
MIS型電界効果トランジスタ及びその製造方法及び半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-100401 出願人：株式会社東芝
薄膜トランジスタ、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-308271 出願人：ソニー株式会社

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