酸化インジウム含有層の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：アインゼル・フェリックス=ラインハルト , 前川純一 , 二宮浩康 , 上島類
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-092583
公開番号（公開出願番号）：特開2016-169150
出願日： 2016年05月02日
公開日（公表日）： 2016年09月23日
要約：

【課題】従来技術の欠点を克服し、酸化インジウム含有層を製造するための改善された方法を提供する。【解決手段】酸化インジウム含有層を製造するための液相法であって、少なくとも1つの酸化インジウム前駆体と、少なくとも1つの溶剤もしくは分散媒体とを含有する混合物から製造可能な被覆組成物を、以下のa)〜d)の順で、a)基板上に塗布し、b)該基板上に塗布された組成物を電磁波で照射し、c)随意に乾燥させ、且つ、d)酸化インジウム含有層へと熱により変換し、酸化インジウム前駆体が、一般式InX(OR)2[式中、R=アルキル基および/またはアルコキシアルキル基であり且つX=F、Cl、BrまたはIである]のインジウムハロゲンアルコキシドであり、且つ、170〜210nmの範囲および250〜258nmの範囲の光線を有意な割合で有する電磁波での照射を実施することを特徴とする前記方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化インジウム含有層を製造するための液相法であって、少なくとも1つの酸化インジウム前駆体と、少なくとも1つの溶剤もしくは分散媒体とを含有する混合物から製造可能な被覆組成物を、以下のa)〜d)の順で、 a) 基板上に塗布し、 b) 該基板上に塗布された組成物を電磁波で照射し、 c) 随意に乾燥させ、且つ、 d) 酸化インジウム含有層へと熱により変換する、前記方法であって、・酸化インジウム前駆体が、一般式InX(OR)2 [式中、R=アルキル基および/またはアルコキシアルキル基であり且つX=F、Cl、BrまたはIである] のインジウムハロゲンアルコキシドであり、且つ、・ 170〜210nmの範囲および250〜258nmの範囲の光線を有意な割合で有する電磁波での照射を実施することを特徴とする前記方法。

IPC (2件)：

C01G 15/00 , H01L 21/368

FI (2件)：

C01G15/00 B , H01L21/368 Z

Fターム (7件)：

5F053AA50 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053HH01 , 5F053LL10 , 5F053PP03 , 5F053PP20

引用特許：

出願人引用 (14件)

紫外光照射による酸化物半導体薄膜の作製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-085867 出願人：独立行政法人科学技術振興機構
特開昭59-198606
特開平1-115010

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