特許
J-GLOBAL ID：200903047605621300
In2O3-SnO2系薄膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153020
公開番号（公開出願番号）：特開平10-324820
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗値の優れた特性を有するIn2O3-SnO2系薄膜を製造できる方法を提供する。【解決手段】 インジウムアルコキシドおよび錫アルコキシドを含む溶液を加水分解させてゾルを調製する際に、4価の錫アルコキシドではなく2価の錫アルコキシドを用いる。得られたゾルを基体の表面に塗布してゲル膜を形成した後、ゲル膜を結晶化させて、In2O3-SnO2系薄膜に導電性を発現させる。
請求項（抜粋）：
インジウムアルコキシドおよび錫アルコキシドを含む溶液を加水分解させ、これによって得られたゾルを基体の表面に塗布して、基体表面にゲル膜を形成した後、そのゲル膜を結晶化させて、導電性を有するIn2O3-SnO2系薄膜を基体表面に形成するIn2O3-SnO2系薄膜の製造方法において、前記錫アルコキシドとして2価の錫アルコキシドを用いることを特徴とするIn2O3-SnO2系薄膜の製造方法。
IPC (9件)：
C09D 1/00
, C03C 17/25
, C09D 5/00
, C09D 5/24
, C23C 18/12
, C30B 29/22
, G09F 9/30 335
, H01B 5/14
, H01B 13/00 503
C09D 1/00
, C03C 17/25 A
, C09D 5/00 C
, C09D 5/24
, C23C 18/12
, C30B 29/22 Z
, G09F 9/30 335
, H01B 5/14 A
, H01B 13/00 503 B
