特許
J-GLOBAL ID:201603005750513991
結晶性積層構造体およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-239389
公開番号(公開出願番号):特開2016-100592
出願日: 2014年11月26日
公開日(公表日): 2016年05月30日
要約:
【課題】高品質なコランダム構造のエピタキシャル膜を有する結晶性積層構造体を提供する。【解決手段】結晶基板1の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部2aからなる凹凸部を形成し、ミストCVD法を用いて、横方向に結晶成長させ、コランダム構造を有する結晶性半導体を主成分として含むエピタキシャル層3を成膜する。ここで、結晶基板1はサファイア基板であり、結晶性半導体は少なくともガリウムを含む酸化物である。【選択図】図7
請求項(抜粋):
結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部が形成されており、前記凹凸部上に、エピタキシャル層が形成されている結晶性積層構造体であって、前記エピタキシャル層が、コランダム構造を有する結晶性半導体を主成分として含むことを特徴とする結晶性積層構造体。
IPC (6件):
H01L 21/20
, H01L 21/365
, C30B 29/16
, C30B 25/18
, C23C 16/40
, C23C 16/02
FI (6件):
H01L21/20
, H01L21/365
, C30B29/16
, C30B25/18
, C23C16/40
, C23C16/02
Fターム (66件):
4G077AA03
, 4G077AB10
, 4G077BB10
, 4G077DB01
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077EF01
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TB03
, 4G077TC01
, 4G077TC04
, 4G077TH01
, 4G077TK01
, 4G077TK04
, 4G077TK08
, 4K030AA14
, 4K030AA16
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA08
, 4K030BA42
, 4K030BB02
, 4K030CA05
, 4K030DA02
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030LA12
, 5F045AB40
, 5F045AD09
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045AF07
, 5F045AF09
, 5F045AF10
, 5F045CA02
, 5F045CA07
, 5F045CA10
, 5F045DA52
, 5F045DA53
, 5F045DB02
, 5F045DP04
, 5F045DP07
, 5F045DQ06
, 5F045EE02
, 5F045EK06
, 5F152LL03
, 5F152LL05
, 5F152LL09
, 5F152LN04
, 5F152LN32
, 5F152LN35
, 5F152MM02
, 5F152MM04
, 5F152MM05
, 5F152MM08
, 5F152MM11
, 5F152NN03
, 5F152NN05
, 5F152NN09
, 5F152NN13
, 5F152NN22
, 5F152NQ10
引用特許:
審査官引用 (9件)
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半極性の半導体結晶およびそれを製造するための方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願2012-557448
出願人:フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
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特許第5343224号
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特許第5343224号
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