半導体膜、半導体素子、半導体装置およびそれらの作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-255776
公開番号（公開出願番号）：特開2012-134468
出願日： 2011年11月24日
公開日（公表日）： 2012年07月12日
要約：

【課題】特性が安定した半導体膜を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体素子を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】具体的には、絶縁性の表面に一方の面を接する第1の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層(シード層)と、当該種結晶層(シード層)の他方の面に異方性の結晶が成長した酸化物半導体膜を有する構成とすれば良く、このようなヘテロ構造とすることにより、当該半導体膜の電気特性を安定化することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面に一方の面を接し、第1の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層と、前記種結晶層の他方の面に接し、第2の結晶構造を有する結晶を含む酸化物半導体膜と、を有し、前記第1の結晶構造がウルツ鉱型の結晶構造であり、前記第2の結晶構造がウルツ鉱以外の六方晶であるヘテロ構造を有する半導体膜。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 , H01L 21/363

FI (8件)：

H01L21/20 , H01L29/78 618B , H01L29/78 618F , H01L29/78 618Z , H01L29/78 618E , G02F1/1368 , H01L21/363 , H01L29/78 627G

Fターム (123件)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA46 , 2H092JB46 , 2H092JB57 , 2H092KA03 , 2H092KA04 , 2H092KA08 , 2H092MA28 , 2H092NA24 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103LL13 , 5F103NN01 , 5F103NN04 , 5F103PP03 , 5F103RR04 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF35 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK34 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110QQ01 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F152AA07 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC05 , 5F152CC06 , 5F152CC07 , 5F152CC08 , 5F152CD05 , 5F152CD08 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD16 , 5F152CE08 , 5F152CE16 , 5F152CE18 , 5F152CE24 , 5F152CE26 , 5F152CE33 , 5F152CE34 , 5F152CE38 , 5F152CF05 , 5F152CF08 , 5F152FF14 , 5F152FF15 , 5F152FF16 , 5F152FF17 , 5F152FF21 , 5F152FF22 , 5F152FF27 , 5F152FF29

引用特許：

審査官引用 (6件)

酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-228168 出願人：独立行政法人物質・材料研究機構
特許第4415062号
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-213725 出願人：キヤノン株式会社

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