半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-199019
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084867
出願日： 2011年09月13日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。【解決手段】絶縁表面上に膜厚が1nm以上10nm以下の第1の材料膜(六方晶の結晶構造を有する膜)を形成し、第1の材料膜を核として、六方晶の結晶構造を有する第2の材料膜(結晶性酸化物半導体膜)を形成し、第1の材料膜と第2の材料膜の積層を形成する。第1の材料膜としては、ウルツ鉱型結晶構造を有する材料膜(例えば窒化ガリウム、或いは窒化アルミニウム)、或いはコランダム型結晶構造を有する材料膜(α-Al2O3、α-Ga2O3、In2O3、Ti2O3、V2O3、Cr2O3、或いはα-Fe2O3)を用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に、六方晶の結晶構造を有する第1の材料膜を形成し、前記第1の材料膜上に接して六方晶の結晶構造を有する第2の材料膜を形成し、前記第2の材料膜は、前記第1の材料膜よりも膜厚が厚く、前記第2の材料膜は結晶性酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/363 , G02F 1/136 , H01L 51/50

FI (9件)：

H01L21/20 , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 618E , H01L29/78 626C , H01L29/78 617T , H01L21/363 , G02F1/1368 , H05B33/14 A

Fターム (110件)：

2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA31 , 2H092JA32 , 2H092JA33 , 2H092JA35 , 2H092JA40 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KB05 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA37 , 2H092NA24 , 2H092QA09 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107CC42 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107FF15 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH07 , 5F103PP20 , 5F103RR04 , 5F103RR07 , 5F110AA21 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110DD24 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HM03 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F152LL09 , 5F152LL10 , 5F152LM08 , 5F152MM04 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NN19 , 5F152NN20 , 5F152NP09 , 5F152NP12 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NP27 , 5F152NQ10

引用特許：

審査官引用 (10件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-198214 出願人：出光興産株式会社
ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-002964 出願人：三星電子株式会社, 亞洲大學校産學協力團
酸窒化物半導体
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-115730 出願人：キヤノン株式会社

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