半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-149314
公開番号（公開出願番号）：特開2016-025256
出願日： 2014年07月22日
公開日（公表日）： 2016年02月08日
要約：

【課題】半導体特性、特に耐圧性および放熱性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】n型半導体層、前記n型半導体層とは異なる組成のp型半導体層および電極を備えている半導体装置であって、n型半導体層が、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含み、p型半導体層が、六方晶の結晶構造を有する無機化合物(SiC、GaN、またはデラフォサイト、酸化ロジウムもしくはオキシカルコゲナイドまたは金属硫化物など)を主成分として含む半導体装置。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

少なくとも、n型半導体層、前記n型半導体層とは異なる組成のp型半導体層および電極を備えている半導体装置であって、n型半導体層が、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含み、p型半導体層が、六方晶の結晶構造を有する無機化合物を主成分として含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (20件)：

H01L 29/26 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/337 , H01L 29/808 , H01L 29/872 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/739 , H01L 21/28 , H01L 21/20 , H01L 29/47 , H01L 21/205 , H01L 21/365 , H01L 21/368 , H01L 33/26 , H01L 33/32 , C23C 16/40

FI (18件)：

H01L29/26 , H01L29/80 H , H01L29/80 V , H01L29/86 301D , H01L29/78 652T , H01L29/78 301B , H01L29/78 653A , H01L29/78 658E , H01L29/78 655A , H01L21/28 301B , H01L21/20 , H01L29/48 D , H01L21/205 , H01L21/365 , H01L21/368 Z , H01L33/00 180 , H01L33/00 186 , C23C16/40

Fターム (132件)：

4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA01 , 4K030BA08 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030FA10 , 4K030LA12 , 4M104AA03 , 4M104AA07 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104DD08 , 4M104DD34 , 4M104DD36 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD62 , 4M104FF02 , 4M104FF04 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104FF32 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104GG04 , 4M104GG06 , 4M104GG09 , 4M104GG11 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 4M104HH20 , 5F045AB06 , 5F045AB14 , 5F045AB40 , 5F045AC02 , 5F045AC03 , 5F045AC04 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045AF01 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045AF10 , 5F045CA01 , 5F045CA05 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045DA52 , 5F045HA16 , 5F053AA50 , 5F053DD02 , 5F053DD20 , 5F053FF02 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053HH05 , 5F053HH10 , 5F053JJ01 , 5F053JJ03 , 5F053KK01 , 5F053KK02 , 5F053LL02 , 5F053LL10 , 5F053PP03 , 5F102GB01 , 5F102GB04 , 5F102GC01 , 5F102GC08 , 5F102GC09 , 5F102GD01 , 5F102GJ01 , 5F102GK01 , 5F102GL01 , 5F102GM01 , 5F102GQ01 , 5F102GR07 , 5F102GT01 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F140AA24 , 5F140AA25 , 5F140AC02 , 5F140AC23 , 5F140AC24 , 5F140BA00 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA12 , 5F140BA16 , 5F140BC12 , 5F141AA21 , 5F141AA33 , 5F141CA40 , 5F141CA46 , 5F141CA64 , 5F141CA73 , 5F141CA88 , 5F141CB11 , 5F152LL03 , 5F152MM02 , 5F152MM04 , 5F152MM05 , 5F152MM06 , 5F152MM07 , 5F152MM10 , 5F152NN12 , 5F152NN13 , 5F152NP17 , 5F152NQ01 , 5F241AA21 , 5F241AA33 , 5F241CA40 , 5F241CA46 , 5F241CA64 , 5F241CA73 , 5F241CA88 , 5F241CB11

引用特許：

審査官引用 (6件)

特許第5397794号
Ga2O3系半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-196438 出願人：株式会社タムラ製作所, 独立行政法人情報通信研究機構, 国立大学法人京都大学
ショットキーダイオードおよびPNダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-128058 出願人：次世代パワーデバイス技術研究組合

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