特許
J-GLOBAL ID：201303033644824008

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
金村 雅仁

金村 雅仁 について

, 
宮島 豊生

宮島 豊生 について

, 
多木 俊裕

多木 俊裕 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 伊東 忠彦 ,  山口 昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-211561
公開番号（公開出願番号）：特開2013-074069
出願日： 2011年09月27日
公開日（公表日）： 2013年04月22日
要約：
【課題】ゲートリーク電流が低減され、かつ、ノーマリーオフ動作する半導体装置を提供する。【解決手段】基板11の上に形成された第1の半導体層12と、第1の半導体層12の上に形成された第2の半導体層13と、第2の半導体層13の上に形成された下部絶縁膜31と、下部絶縁膜31の上に、p型の導電性を有する酸化物により形成された酸化物膜33と、酸化物膜33の上に形成された上部絶縁膜34と、上部絶縁膜34の上に形成されたゲート電極41と、を有し、ゲート電極41の直下において、下部絶縁膜31の表面には凹部が形成されている半導体装置。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板の上に形成された第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の上に形成された第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の上に形成された下部絶縁膜と、 前記下部絶縁膜の上に、p型の導電性を有する酸化物により形成された酸化物膜と、 前記酸化物膜の上に形成された上部絶縁膜と、 前記上部絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、 を有し、 前記ゲート電極の直下において、前記下部絶縁膜の表面には凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (10件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617S ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/58 G
Fターム (108件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB17 ,  4M104CC05 ,  4M104DD09 ,  4M104DD15 ,  4M104DD68 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG18 ,  4M104HH11 ,  4M104HH20 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD02 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GS03 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GV03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102GV09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F110AA12 ,  5F110AA30 ,  5F110BB12 ,  5F110CC01 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF10 ,  5F110FF12 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK09 ,  5F140BK29 ,  5F140CB04 ,  5F140CE02
引用特許：
審査官引用 (5件)
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